zusätzliche Samsung 850 Evo 250 GB SSD (zusätzliche- MZ-75E250B/EU)

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129,90 €

Kurzübersicht


  • Solid-State-Disk - intern

  • 250 GB

  • TLC (Triple-Level Cell)

  • M.2 2280 (M.2 2280); SATA 6Gb/s

  • 540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)

 

Details

Samsung 850 Evo 250 GB SSD

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

  • Optimieren Sie die tägliche Arbeit am Computer
    Erleben Sie ein Maximum an Lese- und Schreibleistung beim täglichen Einsatz des Computers mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Die 850 EVO bietet eine Konkurrenzprodukten überlegene Leistung bei Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen bei allen Kommandotiefen (Queue Depth) bei der Verwendung als Client-PC.
  • Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modusauf die Überholspur
    Verbessern Sie Ihre Leistung jederzeit mit der Samsung Magician Software. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert.
  • Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND
    Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten. Der für 3D V-NAND optimierte SSD-Controller, der Device Sleep (DEVSLP) bei nur 2 mW ermöglicht. Die 850 EVO spart bei Schreibzugriffen außerdem 25% Energie als die 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
  • Sichern Sie Ihre Daten mit der AES 256-Bit-Verschlüsselung
    Die 850 EVO ist mit der hardwarebasierten Verschlüsselungs-Technik ausgerüstet. Die AES-Verschlüsselung mit 256 Bit sichert Daten ohne die üblichen Leistungseinbußen und erfüllt die Vorgaben von TCG Opal 2.0. Die Verschlüsselung ist außerdem kompatibel mit Microsoft E-Drive nach IEEE 1667-Spezifikation. So sind Ihre Daten zu jeder Zeit vor unbefugten Zugriffen geschützt.
  • Schutz vor Überhitzung mit einer schnell reagierenden, dynamischen Schutzfunktion
    Der dynamische Hitzeschutz der 850 EVO (Dynamic Thermal Guard) überwacht die Temperatur und hält diese für höchste Datenintegrität auf einem optimalen Wert. Wenn die Temperatur einen Schwellenwert überschreitet, wird die SSD automatisch leicht gedrosselt, um den Computer vor Überhitzung zu schützen. So sind Ihre Daten sicher und die Reaktionsfähigkeit bleibt dabei erhalten.
  • Steigen Sie auf die 850 EVO um - problemlos
    Mit der One-stop-Installations- und Navigations-Software können Sie mit drei einfachen Schritten ohne großen Aufwand sämtliche Daten und Anwendungen von Ihrem bisherigen Primärspeicher auf die 850 EVO migrieren. Mit der Samsung Magician Software können Sie außerdem Ihr System auf Ihre SSD ideal angepasst optimieren und verwalten.
Allgemein
Artikelnummer zusätzliche- MZ-75E250B/EU
Hersteller Samsung
Farbe Nein
Abmessungen
Tiefe (cm) 8.0
Breite (cm) 2.21
Höhe (cm) 0.15
Gewicht (kg)
Verschiedenes
Leistungsmerkmale Gerätetyp: Solid-State-Disk - intern Kapazität: 250 GB Hardwareverschlüsselung: Ja NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor: M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle: SATA 6Gb/s Puffergröße: 512 MB Merkmale: Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, DevSleep-Modus, Microsoft eDrive-kompatibel, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 Breite: 22.1 mm Tiefe: 80.3 mm Höhe: 1.52 mm Übertragungsrate Laufwerk: 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz: 540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write: 89000 IOPS

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